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更新時(shí)間:2026-01-22
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一、 公司介紹:不止于材料,更是未來架構(gòu)的定義者
2D Semiconductors并非一家傳統(tǒng)的材料銷售商,而是一家由在學(xué)術(shù)研究、制造工藝、技術(shù)工程及界面設(shè)計(jì)領(lǐng)域擁有多元背景的遠(yuǎn)見者共同創(chuàng)立的創(chuàng)新型科技企業(yè)。公司的核心使命清晰而堅(jiān)定:重新定義量子材料、新興半導(dǎo)體及下一代材料系統(tǒng)的可能性。
為了將這一理論轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)力,2D Semiconductors致力于彌合學(xué)術(shù)界與工業(yè)界之間的知識(shí)鴻溝。公司不僅承擔(dān)著行業(yè)企業(yè)不敢涉足的高風(fēng)險(xiǎn)研發(fā)任務(wù),更通過持續(xù)的技術(shù)迭代,累計(jì)發(fā)布了200余種突破性層狀研發(fā)級(jí)晶體。這些創(chuàng)新不僅鞏固了其在電子、物理、化學(xué)及生物學(xué)等跨學(xué)科領(lǐng)域的地位,更為消費(fèi)電子、新能源及半導(dǎo)體制造提供了全新的解題思路。
不同于單純追求產(chǎn)量的工廠,2D Semiconductors更像是一個(gè)精密的“原子級(jí)工坊"。從化學(xué)氣相傳輸、布里奇曼生長法到分子束外延(MBE)、原子層沉積(ALD),公司掌握了多元化的合成工藝,能夠針對(duì)不同應(yīng)用場景,定制化開發(fā)從基礎(chǔ)晶體到復(fù)雜異質(zhì)結(jié)構(gòu)的全套解決方案。

二、 核心優(yōu)勢:五大維度構(gòu)建技術(shù)護(hù)城河
1. 工藝控制能力
公司采用液相剝離技術(shù),實(shí)現(xiàn)了99.9%純度的單層薄膜量產(chǎn),層數(shù)控制精度達(dá)到±1?(埃米級(jí))。這一精度意味著在原子尺度上對(duì)材料厚度的精準(zhǔn)掌控,是制造高性能晶體管的基礎(chǔ)。
2. 規(guī)模化與定制化的平衡
月產(chǎn)能突破萬平方米的生產(chǎn)能力,使其能夠覆蓋從毫克級(jí)研發(fā)樣品到工業(yè)級(jí)批量訂單的全鏈條需求。更重要的是,這種規(guī)模化并非以犧牲質(zhì)量為代價(jià),所有產(chǎn)品均通過ISO 9001/14001雙認(rèn)證,并經(jīng)過IMEC、AIST等國際機(jī)構(gòu)的性能驗(yàn)證。
3. 豐富的材料庫與多樣性
公司建立了包含20余種二維半導(dǎo)體材料的龐大庫,涵蓋過渡金屬硫族化合物(TMDs)、黑磷、石墨烯、硫化砷(As?S?)等。無論是光電器件、傳感器還是柔性電子,都能找到適配的材料體系。
4. 綠色可持續(xù)的制造理念
在碳中和成為共識(shí)的背景下,2D Semiconductors采用無污染制備工藝,碳排放較傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料降低80%。其生產(chǎn)過程符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),廢水回收利用率高達(dá)98%,并獲得LEED鉑金級(jí)綠色工廠認(rèn)證。
5. 兼容主流工藝的代工能力
針對(duì)半導(dǎo)體晶圓廠的需求,公司開發(fā)了兼容主流CMOS工藝的二維材料代工服務(wù)。這意味著其材料可以直接集成到現(xiàn)有的硅基產(chǎn)線中,大大降低了下游廠商的技術(shù)遷移成本。

三、 熱門產(chǎn)品深度解析:從基礎(chǔ)晶體到復(fù)雜器件
1. CVD生長的二維過渡金屬硫族化合物(TMDs)
這是公司的旗艦產(chǎn)品系列,以其高結(jié)晶度和大面積均勻性著稱。
貨號(hào):CVD-2inchTMDs
品名: 2英寸CVD單層或少層TMDs晶圓
詳細(xì)介紹: 該產(chǎn)品在2英寸c向切割藍(lán)寶石襯底上生長,涵蓋MoS?(二硫化鉬)、MoSe?(二硒化鉬)、WS?(二硫化鎢)、WSe?(二硒化鎢)等材料。與常規(guī)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)工藝生長的樣品(晶粒尺寸通常僅10-500納米且存在大范圍缺陷)不同,2D Semiconductors采用的CVD技術(shù)在半導(dǎo)體級(jí)潔凈室中進(jìn)行,使用6N級(jí)(99.9999%)高純度氣體和前驅(qū)體,制備出的晶粒尺寸可達(dá)1-50微米,且無碳污染層殘留。拉曼光譜和光致發(fā)光光譜(PL)證實(shí)了其優(yōu)異的單層特性和高發(fā)光性。這些材料是研究谷電子學(xué)、自旋電子學(xué)的理想選擇。
2. 硫化砷(As?S?)晶體
貨號(hào):BLK-BA
品名: 黑砷(Black Arsenic)晶體
詳細(xì)介紹: As?S?具有2:3的化學(xué)計(jì)量比,是一種直接帶隙半導(dǎo)體(帶隙約2.5 eV)。經(jīng)過3年累計(jì)250次生長試驗(yàn),公司實(shí)現(xiàn)了化學(xué)計(jì)量比控制和大晶疇尺寸(晶胞缺陷密度低至十萬分之一),純度達(dá)到99.9998%。其塊體形態(tài)下具有層狀結(jié)構(gòu),層間耦合較弱,易于機(jī)械剝離獲得單層。單層厚度約為0.8 nm,晶體尺寸可達(dá)約8毫米,展現(xiàn)出優(yōu)異的光致發(fā)光特性(拉曼光譜特征峰半高寬小于6 cm?1)。該材料是二維材料研究中探索新型光電特性的熱門對(duì)象。
3. 二維異質(zhì)結(jié)構(gòu)與摩爾超晶格
貨號(hào):CVD-heterojunc / CVD-Moire
品名: 二維垂直異質(zhì)結(jié) / 二維摩爾超晶格
詳細(xì)介紹: 通過獨(dú)特的無化學(xué)轉(zhuǎn)移工藝,研發(fā)團(tuán)隊(duì)將CVD生長的2D片材背對(duì)背轉(zhuǎn)移,構(gòu)建出原子級(jí)平整的界面。這種垂直異質(zhì)結(jié)避免了濕法轉(zhuǎn)移帶來的聚合物殘留和界面陷阱。而摩爾超晶格則通過精確控制兩層二維材料的扭轉(zhuǎn)角度,產(chǎn)生強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子態(tài),展現(xiàn)出超導(dǎo)、磁性等奇異量子現(xiàn)象。由于生產(chǎn)流程高度定制化,此類產(chǎn)品主要根據(jù)客戶的基板類型和扭轉(zhuǎn)角度需求進(jìn)行生產(chǎn)。
4. 定制化溶液與粉末
貨號(hào):SOL-custom
品名: 2D定制解決方案
詳細(xì)介紹: 針對(duì)標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品目錄無法滿足的特殊需求,客戶可訂購此產(chǎn)品。無論是特定濃度的二維材料分散液(如NMP、IPA溶劑),還是特定尺寸分布的納米粉末,亦或是摻雜改性的二維材料,研發(fā)團(tuán)隊(duì)都將提供從配方設(shè)計(jì)到小試、中試的全套技術(shù)支持。
5. 石墨烯薄膜
貨號(hào): 多型號(hào)(基于基板定制)
品名: 石墨烯薄膜(VDW層沉積)
詳細(xì)介紹: 公司提供多種范德華(VDW)層沉積服務(wù),可在藍(lán)寶石、SiO2/Si及其他定制基板上沉積高質(zhì)量石墨烯。典型基板尺寸為1平方厘米,二維層有效面積為0.5平方毫米。產(chǎn)品純度達(dá)到6N(99.9999%),無缺陷,具備電子級(jí)和光學(xué)級(jí)質(zhì)量。其單晶尺寸遠(yuǎn)超傳統(tǒng)CVD、MOCVD或PLD技術(shù)生長的石墨烯,適用于高頻電子器件和透明電極。

四、 解決實(shí)驗(yàn)中的痛點(diǎn):科研與生產(chǎn)的“破局者"
在實(shí)際的科研與工業(yè)生產(chǎn)中,二維材料的應(yīng)用往往面臨諸多挑戰(zhàn),2D Semiconductors的產(chǎn)品正是為了解決這些痛點(diǎn)而生:
1. 突破“接觸電阻"瓶頸
在二維晶體管研究中,金屬與二維材料的接觸電阻往往限制了器件性能。2D Semiconductors通過優(yōu)化CVD生長參數(shù)和后處理工藝,提供了低缺陷密度的材料,配合其代工服務(wù),顯著降低了肖特基勢壘高度,提升了載流子注入效率。
2. 解決“材料一致性"難題
許多科研成果無法復(fù)現(xiàn),根源在于材料批次間的差異。該公司通過嚴(yán)格的ISO質(zhì)量管控和大面積CVD生長技術(shù),保證了同一批次甚至不同批次間材料的厚度、遷移率和摻雜濃度的高度一致性,讓實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)具有可重復(fù)性。
3. 攻克“轉(zhuǎn)移與加工"難關(guān)
二維材料極其脆弱,傳統(tǒng)的PMMA轉(zhuǎn)移法容易引入雜質(zhì)和褶皺。公司開發(fā)的無化學(xué)轉(zhuǎn)移工藝和干法轉(zhuǎn)移技術(shù),保持了材料的本征特性,同時(shí)其提供的預(yù)轉(zhuǎn)移樣品(如背對(duì)背異質(zhì)結(jié))直接省去了客戶繁瑣的轉(zhuǎn)移步驟。
4. 替代硅基的“物理極限"
隨著制程逼近1nm,硅基材料的短溝道效應(yīng)愈發(fā)明顯。2D Semiconductors提供的MoS?等材料具有原子級(jí)厚度和優(yōu)異的柵控能力,能夠有效抑制漏電流,是延續(xù)摩爾定律、開發(fā)3nm以下節(jié)點(diǎn)邏輯器件的關(guān)鍵材料。
5. 柔性電子的“機(jī)械可靠性"
傳統(tǒng)ITO導(dǎo)電膜在彎曲時(shí)易碎裂。該公司的石墨烯和TMDs薄膜具有機(jī)械柔韌性,在經(jīng)過數(shù)萬次彎折后仍能保持電學(xué)性能穩(wěn)定,已成功應(yīng)用于折疊屏手機(jī)鉸鏈支撐材料及柔性電路基板。

五、 目標(biāo)客戶群體:誰在使用2D Semiconductors?
高校與科研院所:這是基礎(chǔ)研究的主力軍。物理學(xué)、化學(xué)、材料科學(xué)領(lǐng)域的課題組利用其高純度晶體(如As?S?、黑磷)探索新奇的量子現(xiàn)象;生命科學(xué)領(lǐng)域則利用其大面積薄膜進(jìn)行生物傳感器開發(fā)。
半導(dǎo)體晶圓廠與Foundry:包括臺(tái)積電、英特爾以及國內(nèi)的中芯國際等。它們需要兼容CMOS工藝的二維材料進(jìn)行下一代GAA(環(huán)繞柵極)晶體管或CFET(互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管)的研發(fā)與試產(chǎn)。
新能源企業(yè):主要是鈣鈦礦太陽能電池廠商。利用二維材料(如WS?)作為界面修飾層,可以有效提升電池的光電轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。
消費(fèi)電子品牌:如OLED面板廠商、折疊屏手機(jī)制造商。它們采購?fù)该鲗?dǎo)電薄膜和柔性基板材料,以提升產(chǎn)品的顯示效果和耐用性。
生物醫(yī)藥公司:利用二維材料的大比表面積和特殊光學(xué)性質(zhì),開發(fā)高靈敏度的ELISA試劑盒輔助檢測系統(tǒng)及快速診斷試紙。
六、 購買疑問與解答(Q&A)
Q1:二維半導(dǎo)體材料與傳統(tǒng)硅基材料相比,核心優(yōu)勢究竟在哪里?
A: 二維材料具備原子級(jí)厚度(物理極限薄)、超高載流子遷移率(部分材料如二硫化鎢理論值更高)和機(jī)械柔韌性。更重要的是,它們沒有懸掛鍵,界面態(tài)少,能夠突破摩爾定律的物理尺寸限制,適用于更高集成度的柔性/異構(gòu)芯片設(shè)計(jì)。雖然電子穿過二維材料的速度在某些情況下慢于硅,但其優(yōu)異的柵控能力彌補(bǔ)了這一點(diǎn)。
Q2:產(chǎn)品的穩(wěn)定性如何?能在空氣中保存多久?
A: 通過表面鈍化處理與封裝技術(shù),大部分標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品在空氣環(huán)境中可穩(wěn)定保存12個(gè)月以上,特殊封裝型號(hào)可達(dá)24個(gè)月。例如,經(jīng)過ALD氧化鋁封裝的MoS?器件,其電學(xué)性能在數(shù)月內(nèi)無明顯衰減。
Q3:最小起訂量(MOQ)和交貨周期是怎樣的?
A: 研發(fā)級(jí)樣品的最小起訂量為1cm×1cm標(biāo)準(zhǔn)尺寸。由于涉及復(fù)雜的CVD生長或晶體培育過程,交貨周期通常為4-6周。對(duì)于批量工業(yè)訂單,需與銷售團(tuán)隊(duì)具體協(xié)商產(chǎn)能排期。
Q4:如果我需要的材料不在現(xiàn)有列表中,可以定制嗎?
A: 可以。公司設(shè)有專門的研發(fā)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)“2D定制解決方案(SOL-custom)"。您只需在訂購時(shí)說明所需材料、基板類型、層數(shù)及規(guī)格,團(tuán)隊(duì)將評(píng)估技術(shù)可行性并提供報(bào)價(jià)。
Q5:關(guān)于異質(zhì)結(jié)產(chǎn)品的退貨政策是怎樣的?
A: 由于二維異質(zhì)結(jié)和摩爾超晶格屬于高度定制化產(chǎn)品,生產(chǎn)流程涉及復(fù)雜的光刻、轉(zhuǎn)移和堆疊工藝,一旦售出,除非存在明顯的質(zhì)量缺陷(如大面積破損或污染),否則概不退款。建議在下單前與技術(shù)支持確認(rèn)具體參數(shù)。
Q6:材料的純度具體能達(dá)到什么水平?
A: 氣體前驅(qū)體和最終產(chǎn)品的純度均可達(dá)到6N(99.9999%)。對(duì)于特定晶體(如As?S?),經(jīng)過 zone refinement(區(qū)域提純)后,純度可達(dá)99.9998%,晶胞缺陷密度低于10??。
Q7:是否提供代工服務(wù)?
A: 是的。針對(duì)半導(dǎo)體工廠,公司提供兼容主流CMOS工藝的二維材料代工服務(wù),包括在8英寸或12英寸晶圓上生長二維薄膜,以及進(jìn)行刻蝕、金屬化等后道工序。
Q8:產(chǎn)品是否符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)?
A: 生產(chǎn)過程嚴(yán)格符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無重金屬污染。廢水回收利用率達(dá)98%,且工廠獲LEED鉑金級(jí)綠色工廠認(rèn)證,碳排放較傳統(tǒng)工藝降低80%。
Q9:如何表征材料的質(zhì)量?
A: 隨貨附贈(zèng)詳細(xì)的質(zhì)檢報(bào)告,包含拉曼光譜(Raman)、光致發(fā)光光譜(PL)、原子力顯微鏡(AFM)及X射線光電子能譜(XPS)數(shù)據(jù)。所有材料性能均通過IMEC、AIST等國際機(jī)構(gòu)驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)。
Q10:在中國區(qū)如何購買?
A: 2D Semiconductors讓上海起發(fā)實(shí)驗(yàn)試劑有限公司為中國區(qū)域代理。通過上海起發(fā),國內(nèi)客戶可以享受到更便捷的詢價(jià)、報(bào)價(jià)、物流及售后服務(wù),避免跨國采購的繁瑣手續(xù)。
?? 下圖為"上海起發(fā)"作為其代理的代理書

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??熱賣產(chǎn)品
貨號(hào) | 品名 | 規(guī)格 | 品牌 |
BLK-Cr2Te3 | Cr2Te3 Crystal | ea | 2D Semiconductors |
BLK-TiS2 | TiS2 Crystal | ea | 2D Semiconductors |
BLK-HfS2-FLX | HfS2 Crystal Flux zone growth | ea | 2D Semiconductors |
CVD-MoS2-ML-SP | MoS2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire | ea | 2D Semiconductors |
BLK-VTe2 | VTe2 Crystal | ea | 2D Semiconductors |
BLK-WS2 | Tungsten Disulfide (WS2) | ea | 2D Semiconductors |
BLK-WSe2-P | WSe2 Crystal | p-Type | 2D Semiconductors |
BLK-WSe2-PREM | Premium Ultra-Flat WSe2 Synthetic Crystals | ea | 2D Semiconductors |
BLK-YBCO | YBCO Crystal,Up to 1 cm size | ea | 2D Semiconductors |
BLK-ZRS2 | Zirconium Disulfide (ZrS2) | ea | 2D Semiconductors |
BLK-ZrSe2 | ZrSe2 - Zirconium Diselenide Crystal | ea | 2D Semiconductors |
BLK-ZrTe2 | ZrTe2 Crystal | ea | 2D Semiconductors |
CVD-MoS2-ML-S | Full Area Coverage Monolayer MoS2 on Si02/Si | ea | 2D Semiconductors |
BLK-Ta3FeS6 | Ta3FeS6 Crystal | ea | 2D Semiconductors |
CVD-MoSe2-ML-SP | MoSe2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire | ea | 2D Semiconductors |
CVD-SnSe2-ML-SP | SnSe2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire | ea | 2D Semiconductors |
CVD-WS2-ML-SiO2Si | WS2 on SiO2/Si | ea | 2D Semiconductors |
CVD-WS2-ML-SP | WS2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire | ea | 2D Semiconductors |
CVD-WSe2-ML-SP | WSe2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire | ea | 2D Semiconductors |
kish-graphite | Kish graphite | ea | 2D Semiconductors |
MBE-MoS2 | MoS2 - MBE on c-cut Sapphire | ea | 2D Semiconductors |
MBE-MoSe2 | MoSe2 - MBE on c-cut Sapphire | ea | 2D Semiconductors |
SOL-NbS2-IS | NbS2 Solution-DI water | 1 | 2D Semiconductors |
SOL-ReS2-IS | ReS2 Solution-DI water | 1 | 2D Semiconductors |
BLK-GR-I2 | Graphite - I2 intercalated | ea | 2D Semiconductors |
BLK-BSCCO-2223 | BSCCO Crystal | ea | 2D Semiconductors |
BLK-CrTe2 | CrTe2 Crystal | ea | 2D Semiconductors |
BLK-Fe3GaTe2 | Fe3GaTe2 Crystal | ea | 2D Semiconductors |
BLK-Fe4GeTe2 | Fe4GeTe2 Crystal | ea | 2D Semiconductors |
BLK-FeI2 | FeI2 Crystal | ea | 2D Semiconductors |
BLK-g-C3N4 | g-C3N4 Crystal | ea | 2D Semiconductors |
BLK-GaPS4 | GaPS4 Crystal | ea | 2D Semiconductors |
BLK-GR-Br2 | Graphite - Br2 intercalated | ea | 2D Semiconductors |
BLK-BA | Black Arsenic | ea | 2D Semiconductors |
BLK-hBN-HPA | Hexagonal Boron Nitride (h-BN) | ea | 2D Semiconductors |
BLK-hBN-LG | h-BN Crystal (large size) | ea | 2D Semiconductors |
BLK-MoS2-PREM | Premium Ultra-Flat MoS2 Synthetic Crystals | ea | 2D Semiconductors |
BLK-MoS2-SYN-FLX | MoS2 - Synthetic Crystal | ea | 2D Semiconductors |
BLK-MoTe2 | Molybdenum Ditelluride (2H MoTe2) | ea | 2D Semiconductors |
BLK-NbOCl2 | NbOCl2 Crystal | ea | 2D Semiconductors |
BLK-NiPS3 | NiPS3 Crystal | ea | 2D Semiconductors |
BLK-ReSe2 | ReSe2 Crystal | ea | 2D Semiconductors |
BLK-PTAS | PTAS (solid) | ea | 2D Semiconductors |
BLK-CrOCl | CrOCl Crystal | ea | 2D Semiconductors |
SOL-PTAS | PTAS (liquid) | ea | 2D Semiconductors |